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真空共晶炉是利用真空加热的原理，为电子元器件的合金焊料焊接提供工艺环境的设备，因其工艺特点，该设备又称为真空回流炉、真空烧结炉等。
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技术参数名称
HC-VS210E
HC-VS200E
HC-VS210H
HC-VS330H
HC-VS460H 最高温度
450℃
450℃
450℃（更高可选）
450℃（更高可选）
450℃
控温精度
±0.5℃
±0.5℃
±0.5℃
±0.5℃
±0.5℃
加热板面积
(227*217)mm2
(350*290)mm2
(227*217)mm2
(330*320)mm2
(460*420)mm2
温度均匀性
±1.5%
±1.5%
±1%
±1%
≤±2%
真空度
≤5Pa
≤5Pa
≤5Pa
≤5Pa
≤5Pa
分子泵系统
N
N
≤5x10-3pa(更高可选）
≤5x10-3pa(更高可选）
N
真空腔室漏率
5x10-8 mbar*l/s
5x10-8 mbar*l/s
5x10-9 mbar*l/s
5x10-9 mbar*l/s
5x10-9 mbar*l/s
甲酸工艺模块
标配
标配
标配
标配
标配
正压功能
N
N
0.3MPa
0.3MPa
N
最大升温速率（底部加热空载）
200℃/min
200℃/min
200℃/min
200℃/min
200℃/min
最大降温速率（气冷空载）
100℃/min
100℃/min
100℃/min
100℃/min
100℃/min
可放器件最大高度
100mm
100mm
100mm（150mm）
100mm（150mm）
100mm
顶部加热
N
N
可选
可选
标配
水冷降温
N
N
N
可选
可选
腔室门开闭
半自动 半自动 自动 自动 自动 MES接口
可选
可选
标配
标配
标配
扫码枪
可选
可选
可选
可选
可选
助焊剂模块
N
可选
N
可选
可选
* 温度均匀性指标采用第三方工具TC WAFER测试和验证。温度采用美国OMEGA温控仪来测试和校准。
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精确控温：采用德国西门子/倍福系统自带测温模块精准测温，红外石英灯辐射加热分区控温，控温精度优于±0.5℃。
多种控温保护：采用美国欧米茄0.5mm和1mm热电偶，主控一根、安全一根，移动2根，主控热电偶和安全热电偶可自动切换，多重保护；
降温可控：采用氮气降温，可设定降温速率，自动控制氮气流量。
工艺曲线控制：自由可控的数据曲线，可根据工艺要求选择保留设定温度、主控温度、移动测量温度、真空、压力、MFC等数据的存储分析曲线。
工作模式：自动/手动两种工作模式，便于工艺开发及量产。
正压功能：有效降低空洞、控制焊料溢出。
甲酸模块：氮气气流导入甲酸气流，对样品表面还原，提高浸润性，降低空洞。
自动化功能：开放的OPC/UA协议，用户可以简单对接MES系统，具备升级在线自动上下料功能，可实现机械手自动取放样品，腔室门自动开启关闭执行程序。
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